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IDT7164S/L
CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)
DC Electrical Characteristics
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
(V CC = 5.0V ± 10%)
IDT7164S
IDT7164L
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
|I LI |
|I LO |
V OL
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
V CC = Max.,
V IN = GND to V CC
V CC = Max., CS 1 = V IH ,
V OUT = GND to V CC
I OL = 8mA, V CC = Min.
MIL.
COM'L. & IND
MIL.
COM'L. & IND
____
____
____
____
____
10
5
10
5
0.4
____
____
____
____
____
5
2
5
2
0.4
μA
μA
V
I OL = 10mA, V CC = Min.
____
0.5
____
0.5
V OH
Output High Voltage
I OH = -4mA, V CC = Min.
2.4
____
2.4
____
V
2967 tbl 09
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only) (V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V)
Typ. (1)
V CC @
Max.
V CC @
Symbol
V DR
I CCDR
t CDR (3)
t R (3)
I I LI I (3)
Parameter
V CC for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
Input Leakage Current
Test Condition
____
MIL.
COM'L. & IND
1. CS 1 > V HC
CS 2 > V HC , or
2. CS 2 < V LC
Min.
2.0
____
____
0
t RC (2)
____
2.0V
____
10
10
____
____
____
3.0V
____
15
15
____
____
____
2.0V
____
200
60
____
____
2
3.0V
____
300
90
____
____
2
Unit
V
μ A
ns
ns
μ A
NOTES:
1. T A = +25°C.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
AC Test Conditions
2967 tbl 10
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
See Figures 1 and 2
2967 tbl 11
DATA OUT
5V
480 ?
DATA OUT
5V
480 ?
255 ?
30pF*
,
255 ?
5pF*
,
2967 drw 04
2967 drw 03
Figure 1. AC Test Load
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ1, t CLZ2 , t OLZ , t CHZ1, t CHZ2 , t OHZ , t OW , and t WHZ )
*Includes scope and jig capacitances
4
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